Rof модулатор на интензитета, тънък филмов литиево-ниобатен модулатор, 40G TFLN модулатор

Rof Intensity Modulator тънкослоен литиево-ниобатен модулатор 40G TFLN модулатор Представено изображение

Кратко описание:

Тънкослойният литиево-ниобатен материал върху изолатор (LNOI) наследява отличните електрооптични свойства на обемните литиево-ниобатни материали, предоставяйки ново решение за високоскоростни електрооптични модулаторни чипове, които могат да бъдат интегрирани, миниатюризирани и да имат висока ефективност на модулация. Разработихме широколентов, нискополюсен тънкослоен LiNbO3 електрооптичен модулатор, базиран на LNOI материал. Нашият продукт има отлични характеристики на висока стабилност, ниски загуби при вмъкване и малък размер, което е по-предимно от традиционните обемни литиево-ниобатни модулатори, и има широки перспективи за приложение в областта на високоскоростната оптична комуникация и микровълновата фотоника.

Изпратете ни имейл ИЗТЕГЛЯНЕ

Детайли за продукта

Rofea Optoelectronics предлага оптични и фотонни електрооптични модулатори

Етикети на продукти

Функция

Висока честотна лента, ниски загуби, ниско захранващо напрежение, малък размер, висока стабилност

Поле

Високоскоростна оптична комуникация, микровълнова фотоника, радар и др.

Rof EOM модулатор на интензитета 20G тънкослоен литиево-ниобатен модулатор TFLN модулатор

Параметър

Pараметър	Sym	индикатор	Единица
работна дължина на вълната	λ	1530~1565	nm
Оптично затихване при вмъкване	IL	≤ 5,5 (тип 4,5)	dB
коефициент на екстинкция	ER	≥ 25	dB
Оптична загуба на отражение	RL	≤ -30	dB
Максимална входна оптична мощност	P_in	≤ 200	mW
Електрооптична модулационна честотна лента (3dB, от 2GHz)	BW	≥ 40	GHz
RF полувълново напрежение @ 50KHz	Vπ	≤ 3,5	V
Радиочестотно отражение	S₁₁	≤ -10	dB
Максимална входна мощност на радиочестотния спектър	S_in	≤ 25	dBm
Мощност на полувълната на термичното отклонение	Pπ	50	mW
Термично напрежение	U_{нагревател}	< 8	V
Работна температура	T_O	-55~85	℃
Температура на съхранение	T_S	-55~85	℃

Информация за поръчката

Sym	Dописание	Незадължителен параметър
λ	работна дължина на вълната	C (~1550nm)，O (~1310 nm)
BW	3dB честотна лента	40 (40 GHz)
PD	Мониторинг на PD	1 (интегриран), 0 (неинтегриран)
IF	Входно оптично влакно	P (оптично влакно, поддържащо поляризация)
OF	Изходно оптично влакно	P (оптично влакно, поддържащо поляризацията), S (стандартно едномодово оптично влакно)
S	полувълново напрежение	S стандарт

Размер на опаковката и дефиниция на пиновете

Pв дефиницията:

Sшев	Fпомазание
RF	RF вход, 1.85 мм женски жак
A	Термостатичен електрод за отклонение (положителен и отрицателен)
B	Термостатичен електрод за отклонение
C	Резервен електрод за регулиране на температурата
D	Резервен електрод за регулиране на температурата

Предишно: Rof 2000nm Високоскоростен 2um електрооптичен фазов модулатор

Следващо: ROF Si фотодетектор с регулируемо усилване Силициев фотодетектор

Rofea Optoelectronics предлага продуктова линия от търговски електрооптични модулатори, фазови модулатори, модулатори на интензитета, фотодетектори, лазерни източници на светлина, DFB лазери, оптични усилватели, EDFA, SLD лазер, QPSK модулация, импулсен лазер, светлинен детектор, балансиран фотодетектор, лазерен драйвер, оптичен усилвател, измервател на оптична мощност, широколентов лазер, настройваем лазер, оптичен детектор, драйвер за лазерен диод, оптичен усилвател. Предлагаме и много специфични модулатори за персонализиране, като например 1*4 матрични фазови модулатори, модулатори с ултра ниско Vpi и с ултрависоко съотношение на екстинкция, използвани предимно в университети и институти.
Надяваме се, че нашите продукти ще бъдат полезни за вас и вашето проучване.

Свързани продукти